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J-GLOBAL ID：200903005483211110

分離閉じ込め構造を用いた発光素子用希土類元素添加半導体積層構造、それを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード、光増幅器

Inventor： 渕 真悟 ,  竹田 美和 ,  宇治原 徹 ,  山口 岳宏 ,  宇木 大輔 ,  田中 雄太
Applicant, Patent owner： 国立大学法人名古屋大学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007205161
Publication number (International publication number)：2009043807
Application date： Aug. 07, 2007
Publication date： Feb. 26, 2009
Summary：

【課題】希土類元素による発光強度が強く、かつ、発光波長が温度により変動しない、発光素子用希土類元素添加半導体積層構造を提供する。【解決手段】キャリア拡散長程度の膜厚を持つ活性層2と光ガイド層3とを有する構造の両側に光ガイド層3よりも禁制帯幅の大きいp型とn型のクラッド層4,5を積層した分離閉じ込め構造であって、活性層2に希土類元素または希土類元素と酸素が添加された発光素子用希土類元素添加半導体積層構造1である。活性層2はキャリア拡散長程度の膜厚のまま光ガイド層の中央に配置するか、活性層を分割して配置してもよい。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

キャリア拡散長程度の膜厚を持つ活性層の両側に、該活性層と同程度の禁制帯幅の光ガイド層を積層し、該光ガイド層の該活性層側とは反対の両側に該活性層より禁制帯幅が大きいp型とn型のクラッド層が積層された分離閉じ込め構造であって、上記活性層に希土類元素、又は希土類元素と酸素が添加されたことを特徴とする、発光素子用希土類元素添加半導体積層構造。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323 ,  H01S 5/50

FI (3)：

H01L33/00 A ,  H01S5/323 ,  H01S5/50

F-Term (9)：

5F041AA14 ,  5F041CA04 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA57 ,  5F173AF18 ,  5F173AH29 ,  5F173AJ35 ,  5F173AL03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 発光素子用希土類元素添加半導体積層構造、それを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード及び半導体光増幅器並びにそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-265488   Applicant：科学技術振興事業団