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J-GLOBAL ID：200903005483828346
位相シフトマスクの減衰用自己整合不透明領域の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996000059
Publication number (International publication number)：1996278626
Application date： Jan. 04, 1996
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：
【要約】【課題】位相シフトマスクの減衰用自己整合不透明領域の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の方法は、石英の上部平面表面に均一な厚さのモリブデンシリコン層を堆積することにより、減衰位相シフト光リソグラフィマスクを形成する。均一な厚さのクロム層がモリブデンシリコン層の上に堆積される。このクロム層は位相シフトマスク上の不透明層としてエッチングに耐える十分な厚さを有する。次に、クロム層はドライまたはウェットエッチングにより、第1パターン付きレジスト層でもって選択的にマスクされてパターン化される。そして、モリブデンシリコン層は得られたパターン付きクロム層をプロテクト層として用いてドライまたはウェットエッチングによりパターン化されて、モリブデンシリコンとクロムの複合層は相互に分離した複合ストライプを有するよう形成される。残留レジストは除去され、次に、上部及び側壁の表面は第2パターン付きレジスト層でもってコートされる。最後に、クロム層は他の相互に分離した複合ストライプから除去される。
Claim (excerpt)：
光リソグラフィマスクを製造する方法において、(a)第1層(11)が配置されている基板(10)を準備するステップと、前記第1層が波長λの光放射に対して部分的に透明であり、(b)前記第1層の上部表面に、第1層と化学的に異なる材料製で、第1層とともに波長λの光放射に対して不透明となる第2層(12)を準備するステップと、(c)前記第2層の上部表面に第1パターン付きレジスト層(13)を形成するステップと、(d)前記第1パターン付きレジスト層を第2層のエッチングのプロテクト層として用い、第1パターン付きレジスト層または得られたパターン付き第1層を第1層のエッチングのプロテクトマスクとして用いて、第1パターン付き不透明層(31、32)が、間隔の置いた領域を有し、各領域は少なくとも1つの側壁によって分離された上部表面を有するよう形成される第1層と第2層をエッチングするステップと、(e)この間隔を置いた領域の全上部表面、及び少なくともこの領域にあるもの(全部ではない)の間の全スペースをコートする第2パターン付きレジスト層(図5の15と図7の17)を形成するステップと、(f)第2パターン付きレジスト層をこの第2パターン付き層のエッチングのプロテクトマスクとして用いて、第2パターン付き不透明層とパターン付き部分的透明層を形成するこの第2パターン付き第2層の露出部分のみをエッチングするステップとを含むことを特徴とする光リソグラフィマスクの製造方法。
IPC (2)：
FI (3)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
