単一電子及び原子核スピン計測用電子装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：相田伸二 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000512096
Publication number (International publication number)：2001516962
Application date： Sep. 17, 1998
Publication date： Oct. 02, 2001
Summary：

【要約】単一スピン計測用電子装置は、少なくとも1つのドナー原子を導入して、該ドナー原子の原子核において大きな電子波作用を有するドナー原子核スピン電子システムを形成した半導体基層と、前記基層上の絶縁層と、前記ドナー原子上方で前記絶縁層上に設けられ、前記ドナーにおける拘束電子状態のエネルギーを制御する第1の導電ゲートと、前記第1のゲートに隣接して前記絶縁層上に設けられ、前記基層において少なくとも1つの付加電子を発生させる第2の導電ゲートと、を備えている。使用時に、単一電子が前記ドナーに拘束され、前記ドナー原子が前記基層における付加電子に弱く結合される。前記ゲートがバイアスされることで、前記電子及び前記ドナー電子又は原子核のスピンが移動を許可する関係にある場合にのみ、前記基層における前記付加電子が前記ドナーの方に移動するようになっている。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つのドナー原子を導入して、該ドナー原子の原子核において大きな電子波作用を有するドナー原子核スピン電子システムを形成した半導体基層と、前記基層上の絶縁層と、前記ドナー原子上方で前記絶縁層上に設けられ、前記ドナーにおける拘束電子状態のエネルギーを制御する第1の導電ゲートと、前記第1のゲートに隣接して前記絶縁層上に設けられ、前記基層において少なくとも1つの電子を発生させる第2の導電ゲートと、を備え、使用時に、単一電子が前記ドナーに拘束され、前記ドナー原子が前記基層における少なくとも1つの電子に弱く結合され、前記ゲートがバイアスされることで、前記少なくとも1つの電子及び前記ドナーのスピンが電子の移動を許す関係にある場合にのみ、前記基層における前記少なくとも1つの電子が前記ドナーの方に移動するようになっており、該装置における電流の検出又は単一電子の移動により、単一スピンの計測が行われる、単一スピン計測用電子装置。

IPC (3)：

H01L 29/66 , G01N 24/00 , G06F 7/00

FI (3)：

H01L 29/66 , G01N 24/00 D , G06F 7/00

F-Term (5)：

5B022AA00 , 5B022BA00 , 5B022FA01 , 5B022FA09 , 5B022FA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

磁場検出素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-122300 Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (1)

磁場検出素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-122300 Applicant：日本電気株式会社

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