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J-GLOBAL ID：200903005507098131
マグネトロンスパッタ成膜装置および成膜方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996321437
Publication number (International publication number)：1998158833
Application date： Dec. 02, 1996
Publication date： Jun. 16, 1998
Summary：
【要約】【課題】ターゲットの表面状態の変化にも関わらず一定膜厚の透明導電膜が得られるマグネトロンスパッタ成膜装置およびその成膜方法を提供する。【解決手段】磁界を作るための磁石5が成膜領域を往復移動する駆動装置6を備えたマグネトロンスパッタ成膜装置は、単色光ビーム8lを成膜中の薄膜表面に向けて出射する光源8と、前記ビームの前記薄膜からの反射光を検出し検出信号を出力する光検出器8bと、この検出信号と予め採取してある前記単色光と前記薄膜と同質の薄膜の膜厚との関係から前記成膜中の薄膜の膜厚と、この膜厚と所定の膜厚との比較から磁石の所定往復回数で所定の膜厚を得るための放電パワーの補正信号または磁石の移動速度の補正信号を出力するコントローラ9を備えている。
Claim (excerpt)：
磁界を作るための磁石が成膜領域を往復移動する駆動装置を備えたマグネトロンスパッタ成膜装置において、単色光ビームを成膜中の薄膜表面に向けて出射する光源と、前記ビームの前記薄膜からの反射光を検出し検出信号を出力する光検出器と、この検出信号と予め採取してある前記単色光と前記薄膜と同質の薄膜の膜厚との関係から前記成膜中の薄膜の膜厚と、この膜厚と所定の膜厚との比較から磁石の所定往復回数で所定の膜厚を得るための放電パワーの補正信号または磁石の移動速度の補正信号を出力するコントローラを備えていることを特徴とするマグネトロンスパッタ成膜装置。
IPC (4)：
C23C 14/35
, C23C 14/54
, H01L 21/203
, H01L 31/04
C23C 14/35 B
, C23C 14/54 C
, H01L 21/203 S
, H01L 31/04 V
