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J-GLOBAL ID：200903005526823874

プラズマCVDによる薄膜形成方法とプラズマCVD装置

Inventor：
水野 茂

About 水野 茂

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佐藤 誠

About 佐藤 誠

, 
佐藤 英樹

About 佐藤 英樹


Applicant, Patent owner：
アネルバ株式会社

About アネルバ株式会社


Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998230007
Publication number (International publication number)：2000058484
Application date： Jul. 31, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：
【要約】【課題】 TiCl4 を原料としたプラズマCVDでチタン膜とチタンシリサイド膜を形成するとき、段差被覆性が良くかつ下地Si層の浸食を抑制し、信頼性の高い素子を製造する薄膜形成方法とプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 基板26を配置した容器11内に四塩化チタンと水素を導入してプラズマを生成し、基板上にチタン膜びチタンシリサイド膜を形成する方法であり、チタン膜およびチタンシリサイド膜を形成する薄膜形成工程は、容器内に水素を導入してプラズマを生成する第1ステップ41と、水素によるプラズマ中に四塩化チタンを所定流量まで単位時間当たり一定の割合で増大させて導入し、その後一定流量で流し、基板の絶縁膜表面上にチタン膜を形成し、かつ基板のシリコン露出部分にはチタンシリサイド膜を形成する第2ステップ42とからなる。
Claim (excerpt)：
基板を配置した容器内に四塩化チタンおよび水素を導入してプラズマを生成し、前記基板上にチタン膜およびチタンシリサイド膜を形成するプラズマCVDによる薄膜形成方法において、前記チタン膜および前記チタンシリサイド膜を形成する薄膜形成工程は、前記容器内に水素を導入してプラズマを生成する第1工程と、水素によるプラズマ中に四塩化チタンを所定流量まで単位時間当たり一定の割合で増大させて導入し、その後一定流量で流し、前記基板の絶縁膜表面上にチタン膜を形成し、かつ前記基板のシリコン露出部分にはチタンシリサイド膜を形成する第2工程とからなることを特徴とするプラズマCVDによる薄膜形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 16/50
FI (3)：
H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 301 T ,  C23C 16/50
F-Term (20)：
4K030AA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA48 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030DA03 ,  4K030EA01 ,  4K030FA01 ,  4K030HA01 ,  4K030JA05 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  4M104BB25 ,  4M104CC01 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104FF16 ,  4M104HH04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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