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J-GLOBAL ID:200903005533026858
自発光素子およびその製造方法、照明装置、並びに2次元表示装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
松隈 秀盛
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999257583
Publication number (International publication number):2001085738
Application date: Sep. 10, 1999
Publication date: Mar. 30, 2001
Summary:
【要約】【課題】 発光効率を向上させることができる自発光素子を提供する。【解決手段】 本発明の自発光素子4においては、サファイア基板6の上に、発光層に接する層(GaN)2、発光層1、p側GaN19、およびp電極3が形成されている。発光層1から発生した光は、発光層に接する層(GaN)2を通してサファイア基板6の方向に出射する。ここで、p電極3は、金属からなり反射機能を有してるいる。また、発光層に接する層(GaN)2は、その側面が光を出射する方向に開いた形状を有している。さらに、発光層に接する層(GaN)2の側面の少なくとも1部は、発光層1からの光を全反射する形状を有している。
Claim (excerpt):
発光層と、直接または他の層を介して、発光層に接する層と、上記発光層の、上記発光層に接する層と反対側に形成された電極とを含み、上記電極は、反射機能を有し、上記発光層に接する層の、発光層と反対側の面から光を出射する自発光素子において、以下のことを特徴とする自発光素子。(イ)発光層に接する層は、その側面が光を出射する方向に開いた形状を有する。(ロ)上記側面の少なくとも1部は、発光層からの光を全反射する形状を有する。
IPC (4):
H01L 33/00
, H05B 33/10
, H05B 33/12
, H05B 33/22
FI (5):
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 M
, H05B 33/10
, H05B 33/12 A
, H05B 33/22 Z
F-Term (19):
3K007AB03
, 3K007AB17
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007CB01
, 3K007CC01
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EC00
, 3K007FA01
, 5F041AA03
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA74
, 5F041CB11
, 5F041CB22
, 5F041CB25
, 5F041EE23
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-128987
Applicant:ヒューレット・パッカード・カンパニー
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特開平3-286567
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