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J-GLOBAL ID：200903005539045200

半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 中 崎 靖 ,  宮 島 秀 史
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995193901
Publication number (International publication number)：1997045769
Application date： Jul. 28, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】 フッ素(F)を添加した二酸化シリコン(SiO2 )の層間絶縁膜中においてFの結合状態を制御することにより、二酸化シリコン(SiO2 )の比誘電率を従来のフッ素(F)添加二酸化シリコン(SiO2 )膜以上に低減することを目的とする。【解決手段】 半導体装置を構成する配線間を電気的に絶縁するための絶縁膜を、少なくともシリコン(Si),酸素(O),フッ素(F)を含む二酸化シリコン(SiO2 )膜で形成するにあたり、1つのシリコン(Si)原子あたりフッ素(F)を1原子のみならず2原子あるいは3原子結合した二酸化シリコンの構造を含むことを特徴とする。フッ素(F)を含有し二酸化シリコン(SiO2 )を主成分とする絶縁膜において、比誘電率の低減に有効となるように、シリコン(Si)とフッ素(F)の結合状態を制御できる。したがって、二酸化シリコン(SiO2 )の比誘電率の従来のフッ素(F)添加二酸化シリコン(SiO2 )よりも更に低減し、配線間容量を低減することにより信号遅延を抑制して、半導体装置の高速動作性能の向上が実現される。

Claim (excerpt)：

複数の素子と、これらの素子にそれぞれ接続されると共に並列配置されかつ多層化された複数の配線間を電気的に絶縁するための層間絶縁膜と、を少なくとも備える半導体装置において、前記層間絶縁膜は、シリコン(Si),酸素(O),フッ素(F)を少なくとも含む二酸化シリコン(SiO2 )膜により形成され、かつ、この二酸化シリコン膜の組成が、酸素(O)原子を介して共有結合するシリコン原子を含む構造を有すると共に、前記構造は、1つのシリコン(Si)原子に1つのフッ素(F)原子が結合した組成のみならず、1つのシリコン(Si)原子に2つのフッ素(F)原子が結合した組成、及び、1つのシリコン(Si)原子に3つのフッ素(F)原子が結合した組成をも含むこと、を特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 21/90 L ,  H01L 21/90 V