ITOスパッタリングターゲットとその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：丸岡政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998310749
Publication number (International publication number)：2000144393
Application date： Oct. 30, 1998
Publication date： May. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】広面積に渡って安定な高品質の成膜を得るべく改良された大型のITOスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 In2 O3 とSnO2 の比表面積が15m2 /g以上の混合粉末からなる造粒粉を、好ましくは、軸金型プレスで一次成形体に成形した後、防水パック処理し、冷間静水圧プレスにより等方加圧して成形密度を均一化した後、得られた相対密度が45%以上の二次成形体をこの二次成形体の平面に平行なヒータを上下に配置した焼結電気炉内に入れ、1500°C前後の温度で約10時間焼成して焼結体を得る。このようにして得た相対密度の平均値が90%以上で、ばらつきが前記平均値の±2%以内の焼結体をバッキングプレートに接合して800cm2 以上の大型ターゲットに作製することにより、スパッタリングに際し、異常放電やノジュールの発生もなく、良好な成膜が得られるという効果を奏する。

Claim (excerpt)：

相対密度が平均値で90%以上、相対密度のばらつきが前記平均値の±2%以内で、平面積が800cm2以上であるITO焼結体からなることを特徴とするITOスパッタリングターゲット。

IPC (4)：

C23C 14/34 , C01G 19/00 , C04B 35/457 , H01B 13/00 503

FI (4)：

C23C 14/34 A , C01G 19/00 A , H01B 13/00 503 B , C04B 35/00 R

F-Term (13)：

4G030AA34 , 4G030AA39 , 4G030BA02 , 4G030BA15 , 4G030CA04 , 4G030GA27 , 4G030GA29 , 4K029BA50 , 4K029BC09 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 5G323BA02 , 5G323BB05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

ITOの原料粉と焼結体およびそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-320352 Applicant：同和鉱業株式会社
特開昭63-151684
特開平4-149060

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