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J-GLOBAL ID：200903005565297276
シリコン基板のエッチング方法およびエッチング装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
広瀬 和彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994054627
Publication number (International publication number)：1995240398
Application date： Feb. 28, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：
【要約】【目的】 シリコン基板にアスペクト比の大きく、深さが均一な溝をエッチング加工する。【構成】 エッチング装置31を、エッチング液Eが充填された石英角槽33と、マスキングが施されたウェハ41を該石英角槽33内のエッチング液E内に保持するウェハケース34と、前記石英角槽33を介して、エッチング液Eに超音波振動を付与する圧電振動子36等とから構成し、ウェハ41をエッチング加工するに際して、圧電振動子36によって超音波振動を付与する。これにより、エッチング時に発生する気体が気泡となってウェハ41に形成される溝内に付着するのを効果的に防止でき、エッチングの進行を促すことができる。
Claim (excerpt)：
一側表面が(110)面となったシリコン基板の当該一側表面にマスキングを施す工程と、該シリコン基板をエッチング液内に浸漬する工程と、該シリコン基板に超音波振動を付与した状態で、該シリコン基板にエッチングを施し、該シリコン基板の前記一側表面と垂直な溝を形成する工程とからなるシリコン基板のエッチング方法。
FI (2)：
H01L 21/306 B
, H01L 21/306 J
