MISトランジスタの作製方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992359158
Publication number (International publication number)：1994204250
Application date： Dec. 26, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【構成】 MISトランジスタを作製する方法に関して、ゲイト絶縁膜、ゲイト電極部を形成した後に、ゲイト電極部をマスクとして自己整合的にゲイト絶縁膜をエッチングして、これを薄くし、その後、高速イオンを照射して、自己整合的に半導体領域に不純物領域を形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体領域上にゲイト絶縁膜となる絶縁被膜を形成する工程と、前記絶縁被膜上にゲイト電極部を形成する工程と、前記ゲイト電極部をマスクとして、前記絶縁被膜をエッチングして、前記絶縁被膜を薄くする工程と、前記半導体領域中にゲイト電極をマスクとして自己整合的に不純物元素を導入する工程と、前記絶縁被膜を通して、前記半導体領域にレーザーもしくはそれと同等な強光を照射して、前記半導体領域の結晶性を向上せしめる工程とを有するMISトランジスタの作製方法。

IPC (4)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/20 , H01L 21/265

FI (3)：

H01L 29/78 311 P , H01L 21/265 B , H01L 29/78 311 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平2-228043
特開平3-020046
特開平2-228043

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