Pat
J-GLOBAL ID:200903005573149111

ポジ型放射線レジストとレジストパターンの形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井桁 貞一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992099967
Publication number (International publication number):1993297591
Application date: Apr. 20, 1992
Publication date: Nov. 12, 1993
Summary:
【要約】【目的】 ポジ型レジストに関し、エキシマーレーザを光源とし、高感度でサブミクロンパターンを解像可能なレジストを実用化することを目的とする。【構成】 ビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カルボン酸エステルとN-シクロヘキシルマレイミドとの共重合体と、放射線により酸を発生する酸発生剤とを混合してレジストを作り、このレジストを被処理基板上に塗布し、放射線の選択露光を行なった後にアルカリ現像することを特徴としてレジストパターンを形成する。
Claim (excerpt):
下記の構造式(1)で表される繰り返し単位をもつビシクロ[ 2.2.1]ヘプト-5- エン-2- カルボン酸エステルとN-シクロヘキシルマレイミドとの共重合体と、放射線により酸を発生する酸発生剤との混合物よりなることを特徴とするポジ型放射線レジスト。【化1】
IPC (3):
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/029 ,  H01L 21/027
FI (2):
H01L 21/30 301 R ,  H01L 21/30 361 L

Return to Previous Page