表面処理装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野口武男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998194674
Publication number (International publication number)：2000026975
Application date： Jul. 09, 1998
Publication date： Jan. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】荷電粒子の衝突による膜質の劣化を防止し、高速且つ高品質に成膜可能な表面処理装置を提供する。【解決手段】表面処理装置(1) のケーシング(2) はプラズマ発生電極(5,5′)を備えたプラズマ発生室(3) と、基板支持台(8) を備えた基板処理室(4) との二室に画成されている。前記両室(3,4) の隔壁を構成する電極(5′) にはプラズマ吹出口(6) が形成されている。更に、同プラズマ吹出口(6) と基板支持台(8) 上に載置された基板(S) と間には、プラズマを横断する方向にメッシュ状導電性シート(9) が配されており、同シート(9) にマイナスの可変バイアスを印加することにより、プラズマ内のプラスの荷電粒子が同シート(9) に捕獲され、プラズマから荷電粒子が排除される。

Claim (excerpt)：

一対のプラズマ発生電極、原料ガス導入口、及び基板支持台を備えたケーシング内に、前記プラズマ発生電極によりプラズマを発生させて原料ガスをプラズマ化し、前記基板支持台上に載置された基板表面をプラズマ処理する表面処理装置であって、前記ケーシングは、前記プラズマ発生電極を備えたプラズマ発生室と、前記基板支持台を備えた基板処理室との二室に画成され、同基板処理室は一以上のプラズマ吹出口を介して前記プラズマ発生室と連通されてなり、前記プラズマ吹出口の近傍と前記基板支持台の近傍との間に荷電粒子排除手段が配されてなる、ことを特徴とする表面処理装置。

IPC (3)：

C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/31

FI (3)：

C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/31 C

F-Term (21)：

4K030FA01 , 4K030GA02 , 4K030KA12 , 4K030KA30 , 4K030KA49 , 5F045AA08 , 5F045AC01 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045BB02 , 5F045BB09 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045DP02 , 5F045DP03 , 5F045EF02 , 5F045EH09 , 5F045EH13 , 5F045EH18 , 5F045EH19 , 5F045EH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平3-158469
特開昭61-261481
特開昭63-286570

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