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J-GLOBAL ID：200903005581701400

有機硅素重合体と半導体装置の製造方法

Inventor： 福山 俊一 ,  小林 倫子 ,  大倉 嘉之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991327213
Publication number (International publication number)：1993156021
Application date： Dec. 11, 1991
Publication date： Jun. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 有機硅素重合体とこれを用いた層間絶縁膜の製造方法に関し、耐熱性と平坦化性に優れた絶縁材料を提供することを目的とする。【構成】 次の一般式(1)で表され1000〜5,000,000の重量平均分子量を有する有機硅素重合体を用いるか、或いは、この有機硅素重合体中に含まれるシラノール基の水素原子の一部を次の一般式(2) で表されるトリオルガノシリル基で置換した有機硅素重合体を用いて半導体集積回路の層間絶縁膜を構成する。( RA SiO1.5) n ・・・・・・・(1)但し、 RA は低級フルオロアルキル基、nは10〜50,000の整数( RB )3Si- ・・・・・・・・(2)但し、 RB は低級フルオロアルキル基またはアリール基、

Claim (excerpt)：

次の一般式で表され1000〜5,000,000 の重量平均分子量を有することを特徴とする有機硅素重合体。( RA SiO1.5) n ・・・・・・・(1)但し、 RA は低級フルオロアルキル基、nは10〜50,000の整数

IPC (4)：

C08G 77/385 NUF ,  C08G 77/24 NUJ ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/90