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J-GLOBAL ID：200903005583185370

チオフェンカルボキシレート金属錯体を用いた電界発光装置

Inventor： ホイアー,ヘルムート-ベルナー ,  ベーアマン,ロルフ ,  エルシユナー,アンドレアス
Applicant, Patent owner： バイエル アクチェンゲゼルシャフト
Agent (1)： 小田島 平吉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000569458
Publication number (International publication number)：2002524830
Application date： Aug. 23, 1999
Publication date： Aug. 06, 2002
Summary：

【要約】基質、陽極、電界発光素子および陰極を含んで成っていてこの2つの電極の少なくとも1つが可視スペクトル領域を透過しそして前記電界発光素子が下記の群:正孔注入ゾーン、正孔輸送ゾーン、電界発光ゾーン、電子輸送ゾーンおよび電子注入ゾーンの1つまたは数個のゾーンを含有する電界発光装置。この利用できるゾーンの各々がまたそのように示した他のゾーンに属する仕事も取り扱うようにすることも可能である。本発明は、前記電界発光素子にチオフェンカルボキシレート金属錯体を含有させることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基質、陽極、電界発光素子および陰極を含んで成っていてこの2つの電極の少なくとも1つが可視スペクトル領域を透過しそして前記電界発光素子が正孔注入ゾーン、正孔輸送ゾーン、電界発光ゾーン、電子輸送ゾーンおよび電子注入ゾーンから成る群から選択される1つ以上のゾーンを指定順で含んで成るがこの存在するゾーンの各々がまた他の前記ゾーンの機能も引き受けていてもよい電界発光アセンブリであって、前記電界発光素子がチオフェンカルボキシレート-金属錯体を含有することを特徴とする電界発光アセンブリ。

IPC (15)：

H05B 33/14 ,  C08G 61/00 ,  C08K 5/18 ,  C08L 25/18 ,  C08L 33/02 ,  C08L 35/00 ,  C08L 41/00 ,  C08L 65/00 ,  C09K 11/06 660 ,  C09K 11/06 690 ,  H05B 33/22 ,  C07D215/24 ,  C07D333/24 ,  C07D333/40 ,  C07F 5/00

FI (16)：

H05B 33/14 B ,  C08G 61/00 ,  C08K 5/18 ,  C08L 25/18 ,  C08L 33/02 ,  C08L 35/00 ,  C08L 41/00 ,  C08L 65/00 ,  C09K 11/06 660 ,  C09K 11/06 690 ,  H05B 33/22 B ,  H05B 33/22 D ,  C07D215/24 ,  C07D333/24 ,  C07D333/40 ,  C07F 5/00 H

F-Term (24)：

3K007AB04 ,  3K007AB06 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  4C023EA07 ,  4C023HA02 ,  4H048AA03 ,  4H048AB92 ,  4H048VA20 ,  4H048VA32 ,  4H048VA42 ,  4H048VA85 ,  4H048VB10 ,  4J002BC122 ,  4J002BG012 ,  4J002BH022 ,  4J002BQ002 ,  4J002CE001 ,  4J002EN086 ,  4J032BA04 ,  4J032BB01