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J-GLOBAL ID：200903005587374320

半導体装置の製造方法

Inventor： 神山 聡
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992042646
Publication number (International publication number)：1993243524
Application date： Feb. 28, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】リーク電流の小さい容量素子を有する半導体装置を得る。【構成】ポリシリコンからなる下部電極3の表面をランプアニールにより窒化し、窒化シリコン膜4を形成後、酸化タンタル膜5を化学気相成長法により形成し、さらに上部電極6として窒化チタン/タングステン膜を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にポリシリコン膜からなる下部電極を形成したのちこの下部電極の表面をランプアニールにより窒化する工程と、前記下部電極上に化学気相成長法によりタンタル酸化膜を形成する工程と、前記タンタル酸化膜上に窒化チタン膜とタングステン膜からなる上部電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04