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J-GLOBAL ID：200903005587779266
化合物半導体のエッチング方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992162394
Publication number (International publication number)：1994005581
Application date： Jun. 22, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：
【要約】【目的】 GaInAsP半導体結晶薄膜をマスクとしてAlGaAs半導体結晶を選択的に湿式エッチングすることにより、サイドエッチングを抑制し、加工制御性に優れたAlGaAs半導体結晶のエッチングを行う。【構成】 GaAs基板1上にエピタキシャル成長したAlGaAs半導体結晶2表面に該半導体に格子整合する組成のGaInAsP半導体薄膜結晶3をエピタキシャル成長した後、該薄膜結晶の一部をレジストパターンにしたがってエッチング除去し、これをエッチングマスクとして該AlGaAs半導体結晶を選択的に湿式エッチングする。【効果】 AlGaAs結晶内部に無用の歪みや損傷を与える事なくサイドエッチングを抑制した湿式エッチングを行うことができる。
Claim (excerpt)：
AlXGa1-XAs(0≦x≦1)半導体結晶表面に、該半導体結晶に格子整合する組成のGaInAsP半導体結晶を直接にエピタキシャル成長形成し、該GaInAsP半導体結晶をマスクとして前記のAlXGa1-XAs半導体結晶を選択的にエッチングすることを特徴とする、AlXGa1-XAs半導体の湿式エッチング方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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