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J-GLOBAL ID：200903005607747145

半導体の電極材料及び半導体レーザー素子

Inventor： 吉井 重雄 ,  大川 和宏 ,  辻村 歩 ,  三露 常男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993033139
Publication number (International publication number)：1994252514
Application date： Feb. 23, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：

【要約】【目的】 良好なオーミック接触を示し、かつ、接触抵抗の低い半導体の電極材料、及びこの電極材料を用いた半導体レーザー素子を提供する。【構成】 まず、GaAs基板4上に、分子線エピタキシャル成長(MBE)法によって単結晶のII-VI族半導体であるZnSe膜3を形成する。成長時に、活性窒素分子を導入するラジカルドーピング法によって窒素を添加し、ZnSe膜3をp型化する。次いで、窒素の添加量を増加させながら成長温度を低下させ、多結晶のII-VI族半導体であるp型ZnCd0.5 Se0.5 膜2を成長させる。次いで、基板をMBE装置から取り出し、p型ZnCd0.5 Se0.5 膜2のうち電極を形成する部分以外の部分を化学エッチング法によって除去し、p型ZnCd0.5 Se0.5 膜2の上に真空蒸着法によって金蒸着膜1を形成する。

Claim (excerpt)：

単結晶のII-VI族半導体と金属との間に多結晶のII-VI族半導体を介在させた半導体の電極材料。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285