薄膜トランジスタの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994077164
Publication number (International publication number)：1995094740
Application date： Apr. 15, 1994
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】ゲート絶縁層として、窒素プラズマ処理工程により表面に窒化シリコン膜が形成された酸化シリコン膜を形成することにより、素子の生産性及び信頼性を向上させる非晶質シリコン薄膜トランジスタの製造方法。【構成】基板上に傾斜型ゲート電極を形成するステップと、その基板上に酸化シリコン膜を蒸着するステップと、膜の表面を窒化シリコンにしてゲート絶縁層を形成するステップと、ゲート絶縁層上に非晶質シリコン膜を蒸着して活性層を形成するステップと、連続してn+ 非晶質シリコン膜を蒸着し、オーミック層を形成するステップと、上記2種類のシリコン膜を順次エッチングして、ゲート電極に対応するゲート絶縁層上のみに2種類のシリコン膜を残すステップと、ゲート電極の両側のn+ 非晶質シリコン膜上にソース/ドレイン電極を形成して、露出されたシリコン膜を除去して非晶質シリコン膜を露出させるステップと、基板全体に保護膜を形成するステップとを含む。

Claim (excerpt)：

基板上に傾斜型ゲート電極を形成するステップと、ゲート電極が形成された基板上に酸化シリコン膜を蒸着するステップと、窒素プラズマ処理工程を施し、酸化シリコン膜の表面を窒化シリコン膜にしてゲート絶縁層を形成するステップと、ゲート絶縁層上に非晶質シリコン膜を蒸着して活性層を形成するステップと、連続してn+ 非晶質シリコン膜を蒸着し、オーミック層を形成するステップと、前記n+ 非晶質シリコン膜と非晶質シリコン膜を順次エッチングして、ゲート電極に対応するゲート絶縁層上にのみn+ 非晶質シリコン膜と非晶質シリコン膜を残すステップと、ゲート電極の両側のn+ 非晶質シリコン膜上にソース/ドレイン電極を形成して、その間のn+ 非晶質シリコン膜を露出させるステップと、露出されたn+ 非晶質シリコン膜を除去して非晶質シリコン膜を露出させるステップと、基板全面にわたって保護膜を形成するステップと、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-105342
特開平1-302865
特開平1-209764

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