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J-GLOBAL ID：200903005616885330
薄膜コンデンサ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
北村 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992114494
Publication number (International publication number)：1993315181
Application date： May. 07, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 誘電体層の厚さや電極面積を変えずに容量値を変えうる薄膜コンデンサ及びその製造方法を提供する。【構成】 珪素基板1の表面に形成された二酸化珪素薄膜でなる誘電体層2と、前記誘電体層2を挟むように形成された一対の対向電極3,4とから構成してある薄膜コンデンサであって、前記二酸化珪素薄膜に、分子内に共役二重結合を含みπ電子が分子全体に分布している色素又は顔料有機物を、液相析出法(LPD法)を用いて混入して構成する。
Claim (excerpt)：
珪素基板(1)の表面に形成された二酸化珪素薄膜でなる誘電体層(2)と、前記誘電体層(2)を挟むように形成された一対の対向電極(3),(4)とから構成してある薄膜コンデンサであって、前記二酸化珪素薄膜に有機物を混入してある薄膜コンデンサ。
IPC (3)：
H01G 4/06 102
, C01B 33/12
, H01G 4/10
