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J-GLOBAL ID:200903005618892848

ガスバリア膜形成方法および装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 西教 圭一郎 ,  廣瀬 峰太郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003004611
Publication number (International publication number):2004217966
Application date: Jan. 10, 2003
Publication date: Aug. 05, 2004
Summary:
【課題】プラスチック製フィルム23の表面に形成した酸素および水蒸気を遮断するガスバリア膜の表面を平坦にし、しかもその膜厚を薄くすること。【解決手段】真空容器11の空間内でロール状プラスチックフィルム23を案内ドラム51に巻掛けて張架搬送し、これによってフィルム23は、仕切り壁14で仕切られた表面処理用の第1空間12からガスバリア膜形成用の第2空間13に張架して搬送される。第1空間12では、導入口19から水素およびアンモニアのガス分子を供給し、タングステンから成る発熱体20によって1800°Cに加熱して接触分解し、その活性種によってフィルム23を表面処理する。第2空間13には、アンモニアとシランを供給し、発熱体52で接触分解し、表面処理された前記フィルム23の表面に、触媒化学蒸着法によって窒化シリコンから成るガスバリア膜を形成する。第2空間13の触媒化学蒸着法に代えて、スパッタリング法、プラズマ化学蒸着法などによってガスバリア膜が形成されてもよい。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
プラスチック製基材上へガスバリア膜を形成する方法において、 ガスバリア膜の形成を行う前に、 前記基材の表面を、ガス分子の発熱体との接触分解によって生成した活性種に接触させることによって、前記表面の表面処理を行うことを特徴とするガスバリア膜形成方法。
IPC (5):
C23C16/44 ,  B32B9/00 ,  C08J7/00 ,  C08J7/06 ,  C23C14/20
FI (6):
C23C16/44 A ,  B32B9/00 A ,  C08J7/00 302 ,  C08J7/06 Z ,  C08J7/06 ,  C23C14/20 A
F-Term (72):
4F006AA02 ,  4F006AA12 ,  4F006AA15 ,  4F006AA17 ,  4F006AA20 ,  4F006AA22 ,  4F006AA35 ,  4F006AA38 ,  4F006AA40 ,  4F006AB65 ,  4F006AB67 ,  4F006BA05 ,  4F006CA05 ,  4F006CA07 ,  4F006DA01 ,  4F073AA17 ,  4F073BA03 ,  4F073BA07 ,  4F073BA08 ,  4F073BA13 ,  4F073BA17 ,  4F073BA18 ,  4F073BA19 ,  4F073BA23 ,  4F073BA25 ,  4F073BA26 ,  4F073BA29 ,  4F073BA32 ,  4F073BB01 ,  4F073BB09 ,  4F073CA01 ,  4F073CA04 ,  4F073CA49 ,  4F073CA68 ,  4F073CA70 ,  4F073CA71 ,  4F073CA72 ,  4F073GA09 ,  4F073HA03 ,  4F073HA05 ,  4F100AK01A ,  4F100AK42 ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100EJ58 ,  4F100EJ582 ,  4F100GB15 ,  4F100GB23 ,  4F100GB66 ,  4F100GB71 ,  4F100JD02 ,  4F100JD02B ,  4F100JK14 ,  4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BA44 ,  4K029BA46 ,  4K029BC00 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029EA01 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA43 ,  4K030BA44 ,  4K030FA10 ,  4K030FA17 ,  4K030GA14 ,  4K030JA01 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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