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J-GLOBAL ID：200903005626511853
半導体レーザ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991006140
Publication number (International publication number)：1994342956
Application date： Jan. 23, 1991
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：
【要約】【目的】電流注入効率を高め、発振しきい値の低減とスロープ効率の改善を計る。【構成】半導体レーザ端面内部のリッジストライプを分割し、電流ブロック層を光吸収のない半導体層で構成し、さらに端面近傍のストライプ幅を広げる構成とした。
Claim (excerpt)：
GaAs基板上に、発光領域となる活性層をまたは、からなる多重量子井戸構造で形成し、前記活性層をこれよりも禁制帯幅の大きいではさむ、ダブルヘテロ構造を有し、前記クラッド層に隣接して、同じ導電性のを形成し、前記クラッド層および隣接するをリッジストライプ状にし、さらに、前記リッジストライプの発光端面より内側を分割するメサを形成し、リッジストライプ両側および分割メサ内に、逆導電性の電流ブロック層を形成し、さらに電極コンタクト層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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