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J-GLOBAL ID：200903005627769889

フタロシアニン薄膜、その製造方法及びそれを用いた多層膜

Inventor： 野中 敏央 ,  高萩 隆行 ,  石谷 炯
Applicant, Patent owner： 新技術事業団 ,  株式会社東レリサーチセンター
Agent (1)： 小野 由己男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992196773
Publication number (International publication number)：1994045586
Application date： Jul. 23, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 用い得る基板の自由度が高くかつ高速で得られるフタロシアニン薄膜及びその多層膜を実現する。【構成】 フタロシアニン薄膜は、フタロシアニン誘導体からなり、表面における自乗平均粗さが100オングストローム以下であり、かつアモルファス状である。このフタロシアニン薄膜は、基板を-25〜-269°Cに冷却し、フタロシアニン誘導体分子を加熱蒸発させ、1×10-7Torr未満の超高真空下で分子線として飛行させることにより得られる。また、多層膜は、フタロシアニン薄膜を2層以上積層することにより構成されており、該フタロシアニン薄膜は接する薄膜同志が異なるフタロシアニン誘導体からなる。

Claim (excerpt)：

フタロシアニン誘導体からなり、表面における自乗平均粗さが100オングストローム以下であり、かつアモルファス状であることを特徴とするフタロシアニン薄膜。

IPC (4)：

H01L 29/28 ,  C09B 67/02 ,  C09B 67/50 ,  H01L 31/04