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J-GLOBAL ID：200903005633576120

半導体薄膜製造方法

Inventor： 鷹野 秀明 ,  田中 滋久 ,  中村 均 ,  井上 宏明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993237818
Publication number (International publication number)：1995094411
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 InGaAs、InGaP、InAsP、GaAsP、またはInGaAsPといった化合物半導体混晶上に、分子線エピタキシ法を用いて電気的、光学的特性に良好な薄膜を成長させることを可能にする方法を提供することにある。【構成】 本発明は、基板表面に露出する化合物半導体混晶の結晶表面がIII族安定化面となるサーマルクリーニング工程を含む。また基板表面に露出する化合物半導体混晶表面の酸化物を他の化合物に置換する工程を経た後に、上記サーマルクリーニング工程を実行する方法をとってもよい。

Claim (excerpt)：

分子線エピタキシ法による半導体薄膜製造方法であって、基板表面全体がInGaAs、InGaP、InAsP、GaAsP、またはInGaAsPのうち何れか一種類である場合、基板最表面がIII族安定化面となるサーマルクリーニング工程を含むことを特徴とする半導体薄膜製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324