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J-GLOBAL ID：200903005648331204

超高周波チップインダクター用材料及びその製造方法

Inventor： 王 暁慧 ,  李 龍土 ,  周 済 ,  蘇 水源 ,  桂 治輪 ,  岳 振星 ,  馬 振偉 ,  張 力
Applicant, Patent owner： 清華同方股▲分▼有限公司 ,  清華大学
Agent (1)： 津国 肇 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002134811
Publication number (International publication number)：2003048773
Application date： May. 10, 2002
Publication date： Feb. 21, 2003
Summary：

【要約】【課題】 製造が簡単で、コストが小さく、300〜800MHzの高周波数帯域で使用でき、かつ950°C以下の低温で焼結可能な、高い透磁率を有する超高周波チップインダクター用材料及びその製造方法を提供する。【解決手段】 かかる材料の主要成分は、組成式:Ba3-XSrXCo2-Y-ZZnYCuZMnWFe24-W-VO41(式中0≦X≦2.0、0≦Y≦2.0、0≦Z≦2.0、0≦W≦1.0、0≦V≦1.0)で示される平面六方晶系軟磁性フェライトである。このフェライトに、低温焼結を可能にする焼結助剤を混合し、固相反応法を用いて合成し、最終の焼結は950°C以下の低温で行う。

Claim (excerpt)：

組成式:Ba3-XSrXCo2-Y-ZZnYCuZMnWFe24-W-VO41(式中、X、Y、Z、W及びVは、各々0≦X≦2.0、0≦Y≦2.0、0≦Z≦2.0、0≦W≦1.0、0≦V≦1.0である)で表される軟磁性フェライトを含有することを特徴とする超高周波チップインダクター用材料。

IPC (3)：

C04B 35/26 ,  C04B 35/495 ,  H01F 1/34

FI (3)：

H01F 1/34 B ,  C04B 35/26 F ,  C04B 35/00 J

F-Term (44)：

4G018AA04 ,  4G018AA08 ,  4G018AA09 ,  4G018AA10 ,  4G018AA17 ,  4G018AA21 ,  4G018AA22 ,  4G018AA24 ,  4G018AA25 ,  4G018AA26 ,  4G018AA27 ,  4G018AA31 ,  4G018AA34 ,  4G018AA37 ,  4G018AA39 ,  4G018AB03 ,  4G018AC01 ,  4G018AC05 ,  4G018AC16 ,  4G030AA02 ,  4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA19 ,  4G030AA25 ,  4G030AA27 ,  4G030AA28 ,  4G030AA31 ,  4G030AA32 ,  4G030AA33 ,  4G030AA35 ,  4G030AA37 ,  4G030AA40 ,  4G030AA43 ,  4G030AA53 ,  4G030AA58 ,  4G030BA01 ,  4G030GA01 ,  4G030GA27 ,  5E041AB02 ,  5E041AB03 ,  5E041HB15 ,  5E041NN02 ,  5E041NN18