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J-GLOBAL ID：200903005653816046
SOI基板及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
舘野 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993084036
Publication number (International publication number)：1994275525
Application date： Mar. 18, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：
【要約】【目的】 半導体の素子形成層内にゲッタリングサイトを有するSOI基板を、簡単なプロセスで製造できる方法を提供する。【構成】 ボンドウエーハ1の全表面に減圧CVDにより多結晶シリコン層11を堆積させ、この多結晶シリコン層の上層を熱酸化してSiO2 膜12となし、このボンドウエーハ1とベースウエーハ2とを、SiO2 膜12を介して重ね合わせ、または多結晶シリコン層を熱酸化するかわりにベースウエーハを熱酸化してSiO2 膜となし、このベースウエーハと多結晶シリコン層を持つボンドウエーハとをSiO2 膜を介して重ね合わせ、酸化性雰囲気中で加熱処理を施して結合ウエーハ31とし、ボンドウエーハについて1次研磨、次いで2次研磨を行いSOI基板41を得る。多結晶シリコン層11がゲッタリング機能を発揮するので、SOI基板の製造、あるいはそれを利用して半導体装置を製造する工程における、その品質や製造歩留が向上する。
Claim (excerpt)：
半導体素子を形成せしめるための単結晶シリコン層(以下、SOI層という)と、絶縁層との間に多結晶シリコンの薄層を設けてなるSOI基板。
IPC (4)：
H01L 21/20
, H01L 21/02
, H01L 21/205
, H01L 21/304 321
