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J-GLOBAL ID：200903005655376000
半導体放射線検出素子、該検出素子を用いたγ線中性子線検出器および該検出器を用いた線量測定器
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993276302
Publication number (International publication number)：1995131052
Application date： Nov. 05, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：
【要約】【目的】γ線と中性子線の両者に同等の線量当量感度を有する検出器を提供し、これを搭載して小形軽量で低価格な個人被曝線量計測用などの線量測定器を実現する。【構成】障壁形成接合部に逆バイアス電圧を印加したときに生成する空乏層を放射線有感部3とする半導体放射線検出素子の、障壁形成側電極配設領域の一部に熱中性子と核反応を起こして重荷電粒子を放出する10B または6Li からなる核反応層5を形成し、検出素子結晶の厚さを印加逆バイアス電圧の最大値における空乏層の幅dを超える厚さとし、上記の放射線半導体検出素子の直上に水素原子を高密度に含有する部材を高エネルギーの中性子線に対する増感部材12として配置してγ線中性子線検出器を構成し、このγ線中性子線検出器を搭載する線量計の検出器印加逆バイアス電圧は可変とし、検出器に印加する逆バイアス電圧を熱中性子とγ線の線量当量感度が等しくなるように設定する。
Claim (excerpt)：
半導体基板の一表面部に設けられた障壁形成接合部に印加される逆バイアス電圧に応じて形成される空乏層を放射線有感部とするダイオード構造の半導体放射線検出素子であって、この検出素子の障壁形成側電極配設領域の一部に熱中性子と核反応を起こして重荷電粒子を放出する10B または6Li からなる核反応層が形成され、前記半導体基板の厚さが印加逆バイアス電圧の最大値における空乏層の幅を超える厚さであることを特徴とする熱中性子とγ線検出用の半導体放射線検出素子。
IPC (3)：
H01L 31/09
, G01T 1/24
, G01T 3/08
