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J-GLOBAL ID：200903005657714183
半導体レーザ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994198306
Publication number (International publication number)：1996064909
Application date： Aug. 23, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：
【要約】【目的】 低しきい値電流動作が可能で、消費電力の低減および長寿命化を図ることのできる半導体レーザ装置を実現する。【構成】 井戸層11のバンドギャップ内に不純物準位15を引き起こす不純物が井戸層11内に添加され、不純物準位15による利得スペクトルがエキシトン吸収の位置まで伸びる濃度のキャリアが注入され、不純物準位15と価電子帯または伝導帯との遷移による光利得によりレーザ発振を起こす構成となっている。
Claim (excerpt)：
活性層内に量子井戸構造を用いた半導体レーザであって、前記井戸層のバンドギャップ内に不純物準位を引き起こす不純物が前記井戸層内に添加され、前記不純物準位による利得スペクトルがエキシトン吸収の位置まで伸びる濃度のキャリアが注入され、前記不純物準位と価電子帯または伝導帯との遷移による光利得によりレーザ発振を起こす半導体レーザ。
IPC (2)：
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