Pat

J-GLOBAL ID：200903005659353030

半導体記憶装置

Inventor： 湯次 達之 ,  大西 茂夫 ,  田中 研一 ,  崎山 恵三
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991220871
Publication number (International publication number)：1993041502
Application date： Sep. 02, 1991
Publication date： Feb. 19, 1993
Summary：

【要約】【構成】 MOSトランジスタ4,5を通して、キャパシタ電極6,7に異なる電位を印加し、キャパシタ絶縁膜として用いる強誘電体膜により発生する分極の向きにより、「0」,「1」の区別を行う。【効果】 ダミーセルを用いないため、セル面積の縮小化がは図れ、読み出し速度の高速化が可能である。また、分極特性を用いることにより、リフレッシュ動作が不要である。

Claim (excerpt)：

キャパシタ1個とMOSトランジスタ2個とでメモリセル1個を構成する半導体記憶装置であって、強誘電体膜をキャパシタ絶縁膜として用いた前記キャパシタを設けたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3)：

H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371