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J-GLOBAL ID：200903005660990345

低放射線ガラス

Inventor： 小野田 卓弘
Applicant, Patent owner： 日本電気硝子株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992361428
Publication number (International publication number)：1994211539
Application date： Dec. 29, 1992
Publication date： Aug. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 その目的とするところは、固体撮像装置のカバーガラスとして用いた場合、膜付けしなくとも、放射線量が少ないため、固体撮像素子にソフトエラーを発生させたり、永久損傷を発生させることがない低放射線ガラスを提供することである。【構成】 重量百分率で、SiO2 62.0〜75.0%、Al2 O3 4.0〜10.0%、B2 O3 8.0〜15.0%、Na2 O 10.5〜12.5%、Li2 O+Na2 O 10.5〜20.0%、K2 O 0〜2.0%、MgO+CaO+SrO+ZnO 0.3〜21.0%、BaO 0〜1.0%、ZrO2 0〜1.0%の組成を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

重量百分率で、SiO2 62.0〜75.0%、Al2 O3 4.0〜10.0%、B2 O3 8.0〜15.0%、Li2 O+Na2 O7.0〜20.0%、K2 O 0〜2.0%、MgO+CaO+SrO+ZnO 0.3〜21.0%、BaO 0〜1.0%、ZrO2 0〜1.0%の組成を有することを特徴とする低放射線ガラス。

IPC (3)：

C03C 3/085 ,  C03C 4/00 ,  H01L 27/14