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J-GLOBAL ID：200903005666295819

静電容量アフィニティーセンサー

Inventor： ベルグレン, クリスティン ,  ヨハンソン, ギリス
Applicant, Patent owner： サンテック モレキュラー ダイアグノスティックス エービー
Agent (1)： 安達 光雄 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000512081
Publication number (International publication number)：2001516881
Application date： Sep. 02, 1998
Publication date： Oct. 02, 2001
Summary：

【要約】本発明は周囲溶液中での分析対象物にとって利用可能な固定された認識要素を持つ電極上の自己集成単一層ベースの静電容量アフィニティーセンサーに関する。付加的な絶縁は補助自己集成分子によって提供される。センサーは本発明のこれらの部分のために極めて敏感であり、広い作動範囲を持つ。様々な種類の認識要素を自己集成単一層に直接固定することができるので本発明のセンサーは多方面に有用である。次に電極は表面上の認識要素に対して親和性を示す溶液中の分子、即ち分析対象物に対して選択的になる。認識要素を結合している層の特性のため、従来の静電容量センサーと比較して本発明のセンサーは少なくとも1000倍も感度が良好である。

Claim (excerpt)：

以下の工程を含むキャパシタンス測定によって関心のある特定化合物の存在を測定するのに好適な静電容量アフィニティーセンサーの製造方法: a)一片の貴金属を準備する(但し前記片は所望により棒であってもよいし、又は貴金属がスパッター又は印刷されているガラス、珪素、又は石英の如き絶縁材料の一片であってもよい); b)結合基を含む第一SAM形成分子を準備する; c)工程a)の片を工程b)の第一SAM形成分子と接触させ、それによって前記貴金属表面上に自己集成単一層を得る; d)前記貴金属片上の前記自己集成単一層を前記関心のある化合物に特異的に結合する親和性分子と接触させ、それによって親和性分子を自己集成単一層に結合させる; e)工程c)又はd)において得られた片を第二SAM形成分子と接触させ、それによって少なくとも90%、好ましくは少なくとも95%、より好ましくは少なくとも97%、最も好ましくは少なくとも99%が自己集成単一層で被覆された貴金属表面を得る。

IPC (2)：

G01N 27/22 ,  G01N 33/543 593

FI (2)：

G01N 27/22 Z ,  G01N 33/543 593

F-Term (14)：

2G060AA07 ,  2G060AE17 ,  2G060AF10 ,  2G060AG11 ,  2G060FA01 ,  2G060FB02 ,  2G060HA03 ,  2G060HC07 ,  2G060HC13 ,  2G060HC19 ,  2G060HC21 ,  2G060HD03 ,  2G060HE03 ,  2G060KA06