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J-GLOBAL ID：200903005667758081
電極配線の構造および製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992155416
Publication number (International publication number)：1993347268
Application date： Jun. 15, 1992
Publication date： Dec. 27, 1993
Summary：
【要約】【構成】窒素ガスを混入した気体雰囲気中でニオブ薄膜のスパッタリングを行い、また、電極配線の陽極酸化を行う場合にも、定電圧化成状態での陽極酸化膜の抵抗変化率を検出し、この抵抗変化率が所定値以下となることにより陽極酸化を終了させ、さらに、電極配線の陽極酸化の後に、空気雰囲気中で熱処理を行う。【効果】 陽極酸化膜をゲート絶縁膜として用いる薄膜トランジスタの電極配線等として特性の優れたニオブ薄膜を用いることができるようになる。
Claim (excerpt)：
少なくともニオブを含有する金属のスパッタリングを行うことによって絶縁基板上に薄膜を形成する工程と、該薄膜をパターニングすることによって電極配線を形成する工程と、該電極配線の少なくとも一部の陽極酸化を行う工程とを行う電極配線の製造方法であって、該スパッタリングは、窒素ガスを混入した気体雰囲気中で行われる電極配線の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/3205
, H01L 29/40
, H01L 29/784
H01L 21/88 B
, H01L 29/78 311 G
