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J-GLOBAL ID：200903005672882637
固体撮像装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991323928
Publication number (International publication number)：1993211324
Application date： Nov. 11, 1991
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：
【要約】【目的】 100%の開口率を有するショットキバリア型固体撮像装置において光電荷発生部と電荷転送部間における電荷移動中の光電荷の拡散によるクロストークを低減する。【構成】 シリコン基板上に金属、または金属化合物層からなる光電荷発生部を形成し、その上にシリコン単結晶からなる電荷転送部を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板の主表面上に形成された金属、または金属化合物の薄層よりなる光電荷発生部と、上記光電荷発生部上に形成された第1導電型の半導体層の内部、または上部に設けられた電荷転送部とを備えたことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2)：
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