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J-GLOBAL ID：200903005674245308

電力用半導体素子のゲート駆動回路

Inventor： 滝沢 聡毅
Applicant, Patent owner： 富士電機機器制御株式会社
Agent (3)： 山口 巖 ,  駒田 喜英 ,  松崎 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003104881
Publication number (International publication number)：2004312907
Application date： Apr. 09, 2003
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：

【課題】出力短絡時の電力用半導体素子遮断時におけるサージ電圧を低減して信頼性を向上させるとともに、耐圧の低い素子の使用を可能としてコストを低減させる。【解決手段】IGBTなどの電力用半導体素子5のオン電圧VCEの検出値相当Voを積分する積分回路INを設け、その積分値が過電流設定値∫VCEOC1以上になったら比較回路CP2からハイ(H)信号を出力し、ナンド回路NAを介して半導体素子5を強制的に遮断することで、サージ電圧を低減しつつ半導体素子5を過電流状態から保護できるようにする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

電力変換装置を構成する電力用半導体素子をオン,オフ駆動するゲート駆動回路において、 前記電力用半導体素子のオン期間中のオン電圧を検出する電圧検出回路と、その電圧検出値を積分する積分回路と、その積分値を設定値と比較する比較回路とを設け、積分値が設定値以上になったとき電力用半導体素子を強制遮断することを特徴とする電力用半導体素子のゲート駆動回路。

IPC (2)：

H02M1/08 ,  H02M1/00

FI (2)：

H02M1/08 A ,  H02M1/00 H

F-Term (19)：

5H007AA06 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB02 ,  5H007CB05 ,  5H007DB03 ,  5H007DC05 ,  5H007FA03 ,  5H007FA13 ,  5H007FA19 ,  5H740BA11 ,  5H740BB05 ,  5H740BB09 ,  5H740BB10 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740JA01 ,  5H740KK10 ,  5H740MM11