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J-GLOBAL ID：200903005686080789

プラズマ処理装置

Inventor： 豊田 一行 ,  田中 勉 ,  鈴木 貞之
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 三好 祥二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993307273
Publication number (International publication number)：1995135096
Application date： Nov. 12, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】プラズマ処理装置に於いて装置の小型簡略化を図ると共にプラズマの生成状態を変更可能とする。【構成】真空室31に装入された被処理物5を真空室内に発生させたプラズマ16により処理するプラズマ処理装置に於いて、少なくとも真空室の一部が絶縁材から成る円筒22により形成され、該円筒の周りにプラズマ発生コイルを巻設し、該プラズマ発生コイルに高周波電源を接続し、又円筒の周りに複数のプラズマ発生コイル32,33を巻設し、それぞれのプラズマ発生コイルに高周波電源35,37を接続し、該プラズマ発生コイルに高周波電力を印加して動磁界、動電界の作用によりプラズマを発生し、又複数のプラズマ発生コイルに対する高周波電力の印加状態を制御することでプラズマの発生状態を制御する。

Claim (excerpt)：

真空室に装入された被処理物を真空室内に発生させたプラズマにより処理するプラズマ処理装置に於いて、少なくとも真空室の一部が絶縁材から成る円筒により形成され、該円筒の周りにプラズマ発生コイルを巻設し、該プラズマ発生コイルに高周波電源を接続したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭64-057600
  
• 特開昭63-158799