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J-GLOBAL ID：200903005695276980

ショットキーダイオード及びその製造方法

Inventor： ラジェシュ クマール ,  小島 淳
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998217722
Publication number (International publication number)：2000049363
Application date： Jul. 31, 1998
Publication date： Feb. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】 逆方向バイアスにおけるショットキー障壁が高く、順方向バイアスにおけるショットキー障壁が低くできるショットキーダイオードを提供する。【解決手段】 4H-SiC又は6H-SiCからなるn- 型エピ層2の上面に該n- 型エピ層2よりもバンドギャップが小さな3C-SiCからなるn- 型層3を備えると共に、n- 型層3を貫通してn- 型エピ層2に達する溝部4を備え、Al膜5をn- 型層3及びn- 型エピ層2にショットキー接触させる。このような構成にて、逆バイアス時にはn- 型エピ層2に延びる空乏層によってメサ部分のn- 型層2とAl膜5との接触部をピンチオフし、逆バイアス時にはメサ部分の電位障壁を高くする。これにより、逆方向バイアスにおいてはn- 型エピ層2にて電位障壁の高くでき、順方向バイアスにおいてはn- 型層3にて電位障壁を低くすることができる。そして、ショットキーダイオードの消費電力低減を図ることができる。

Claim (excerpt)：

主表面(1a)とその反対面である裏面(1b)とを有し、高濃度で構成された第1導電型の半導体基板(1)と、前記半導体基板の主表面上に設けられ、前記半導体基板よりも低濃度である第1導電型の第1の半導体層(2)と、前記第1の半導体層の上面に設けられ、前記第1の半導体層よりもバンドギャップが小さい、低濃度の第1導電型の第2の半導体層(3)と、前記第2の半導体層を貫通して前記第1の半導体層に達する溝部(4)と、前記半導体基板の裏面にオーミック接触された第1の金属層(6)と、前記第2の半導体層にショットキー接触されていると共に、前記溝部を介して前記第1の半導体層にもショットキー接触された第2の金属層(7)とを備えていることを特徴とするショットキーダイオード。

FI (2)：

H01L 29/48 P ,  H01L 29/48 D

F-Term (10)：

4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF08 ,  4M104GG02 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  4M104HH17