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J-GLOBAL ID：200903005696343397

半導体装置

Inventor： 尾見 直樹
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992013920
Publication number (International publication number)：1993206184
Application date： Jan. 29, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】半導体素子が発する熱を大気中に良好に放出させ、半導体素子を常に低温として長期間にわたり正常、安定に作動させることができる半導体装置を提供することにある。【構成】ダイフレーム1に固定された半導体素子4の電極を外部リード端子2に接続するとともに該半導体素子4、ダイフレーム1及び外部リード端子2の一部を樹脂でモールドして成る半導体装置であって、前記ダイフレーム1及び外部リード端子2を熱伝導率が4.5 ×10-2 cal/cm ・sec ・°C以上の電気絶縁性基体6で熱的接続した。

Claim (excerpt)：

ダイフレームに固定された半導体素子の電極を外部リード端子に接続するとともに該半導体素子、ダイフレーム及び外部リード端子の一部を樹脂でモールドして成る半導体装置であって、前記ダイフレームおよび外部リード端子を熱伝導率が4.5 ×10-2 cal/cm ・sec ・°C以上の電気絶縁性基体で熱的接続したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/34 ,  H01L 23/373 ,  H01L 23/50