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J-GLOBAL ID：200903005699470314

熱応力によって誘発された亀裂を実質的に含まないCVDダイヤモンド薄膜の製造法

Inventor： デビット・イール・スルツ ,  フライデル・シーグフリード・ネメヤー
Applicant, Patent owner： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
Agent (1)： 生沼 徳二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992329754
Publication number (International publication number)：1993306194
Application date： Dec. 10, 1992
Publication date： Nov. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 熱応力によって誘発された亀裂または断片化がほとんどないダイヤモンド薄膜の改良された製法。【構成】 本発明の、熱応力によって誘発された亀裂を実質的に含まないダイヤモンド薄膜を製造するための化学蒸着法では、薄い基板の両面にダイヤモンドを成長させて、対向する等しい引張り力をもつ2つのダイヤモンド被膜を、薄い基板の厚さより厚い厚さで基板の両面に形成する。

Claim (excerpt)：

薄い基体の両面上におけるダイヤモンド被膜の成長を促進する温度、圧力およびガス濃度条件下で、前記基体の両面を熱ならびに励起された水素および炭化水素ガス混合物に暴露し(ただし、基体の厚さはその上に成長したダイヤモンド被膜より薄い)、ダイヤモンド被膜を薄い基体から分離してダイヤモンド薄膜を提供することからなる、化学蒸着によってダイヤモンド薄膜を製造する方法。

IPC (6)：

C30B 29/04 ,  B01J 19/00 ,  C23C 16/26 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205