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J-GLOBAL ID：200903005700370574

窒化チタン基体へのタングステンの化学蒸着

Inventor：
ウェッブ,ダグラス,エイ.

About ウェッブ,ダグラス,エイ.


Applicant, Patent owner：
トーキョー エレクトロン アリゾナ インコーポレイテッド

About トーキョー エレクトロン アリゾナ インコーポレイテッド

, 
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998536635
Publication number (International publication number)：2001524261
Application date： Jan. 26, 1998
Publication date： Nov. 27, 2001
Summary：
【要約】窒化チタン上に被覆タングステンの薄膜を化学蒸着する方法は、200°C〜500°Cの間の温度で六フッ化タングステンを水素還元することにより進められる。タングステン膜核形成は、望ましくは水素プラズマによって基体の窒化チタン表面をプラズマ処理することによって容易にするのが好ましい。プラズマ処理は、別個なエッチングチャンバ内で実施し、中間的に空気に曝露することなく、タングステンCVDチャンバに移されてよく、あるいは望ましくは、タングステン膜を施すべきタングステンCVD反応器のチャンバ内のサセプタに基体を取り付けて実施する低エネルギーエッチングによって実施されてよい。
Claim (excerpt)：
少なくとも一つの処理チャンバを有するCVD装置内で、基体の空気に曝露されたTiN表面上にタングステンを化学蒸着する際に、シランを使用せずにタングステンの核形成を促進する方法であって、 この基体の空気に曝露されたTiN表面をプラズマエッチングし、次いで このプラズマ処理した表面を酸素を含む環境に実質的に曝露することなく、基体が内部に装填されているCVD処理チャンバ内にH2とWF6とを噴入する一方、基体のTiN表面へのタングステンの付着を生じる還元反応を生起させる条件を保持する、諸工程からなる上記方法。
IPC (2)：
H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285
FI (2)：
H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開平4-100221
  • 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-165714   Applicant：富士通株式会社
  • 窒化チタン膜形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-005239   Applicant：ヒュンダイエレクトロニクスインダストリーズカムパニーリミテッド
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