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J-GLOBAL ID:200903005708560445

半導体装置の製造方法及び製造装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 横山 淳一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999327116
Publication number (International publication number):2001144037
Application date: Nov. 17, 1999
Publication date: May. 25, 2001
Summary:
【要約】【課題】 極薄ウェーハをダイシングする際の、チップの品質低下、作業性低下及びダイシング装置の損傷を防止する。【解決手段】 多数の貫通孔3Aを有する平板3上に両面粘着シート2でウェーハ1を貼着し、これをダイシング装置のダイシングテーブル4に固定した後、ウェーハ1をレーザ光で全厚切断して多数のチップ1Aに分割し、チップ1A上に片面粘着シート6を貼着した後、剥離工具8の剣山状のピン8Aを平板3の各貫通孔3Aと嵌合させてチップ1Aが貼着された該両面粘着シート2を平板3から突き離し、その両面粘着シート2の平板3から剥離した面に粘着テープ9を貼着した後、粘着テープ9に貼着された両面粘着シート2を片面粘着シート6に貼着されたチップ1Aから剥離する。
Claim (excerpt):
ウェーハを両面粘着シートにより平板上に貼着する工程と、該ウェーハの表面側からレーザ光を照射して該ウェーハを全厚にわたり切断する工程と、該ウェーハの表面側全面に片面粘着シートを貼着する工程と、該両面粘着シートを該平板から剥離する工程と、該両面粘着シートの該平板から剥離した面に粘着テープを貼着する工程と、該両面粘着シートを該ウェーハから剥離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2):
H01L 21/301 ,  B23K 26/00
FI (4):
B23K 26/00 D ,  H01L 21/78 M ,  H01L 21/78 B ,  H01L 21/78 P
F-Term (2):
4E068AD01 ,  4E068DA10

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