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J-GLOBAL ID:200903005709907457
安定ラジカルを持つ高分子化合物の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
永井 隆
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003332174
Publication number (International publication number):2005097409
Application date: Sep. 24, 2003
Publication date: Apr. 14, 2005
Summary:
【目的】立体障害性ニトロキシルラジカルを側鎖に持つ高分子を製造する。 【構成】立体障害性環状2級アミン構造を側鎖に持つ高分子を水への溶解度が低く、かつ水と2相系を形成する有機溶媒に溶解し、水溶性触媒を含む触媒液の存在下、過酸化水素によって酸化する。 【効果】立体障害性ニトロキシルラジカルを高いラジカル濃度で側鎖に持つ高分子が触媒の混入なく得られる。【選択図】なし。
Claim (excerpt):
立体障害性環状2級アミン構造を側鎖に持つ高分子を、水への溶解度が低くかつ水と2相系を形成する有機溶媒に溶解し、水溶性酸化触媒を含む触媒液の存在下、過酸化水素によって酸化することを特徴とする、立体障害性ニトロキシルラジカルを側鎖にもつ高分子の製造方法。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (32):
4J031CD03
, 4J100AB07P
, 4J100AE09P
, 4J100AF10P
, 4J100AG08P
, 4J100AL08P
, 4J100AM21P
, 4J100AP01P
, 4J100AS06P
, 4J100BC65P
, 4J100CA01
, 4J100CA04
, 4J100CA31
, 4J100DA55
, 4J100HA01
, 4J100HB29
, 4J100HB34
, 4J100HB36
, 4J100HB38
, 4J100HB44
, 4J100HB52
, 4J100HB58
, 4J100HB61
, 4J100HD01
, 4J100HE13
, 4J100HE41
, 4J100JA43
, 5H050AA19
, 5H050CA20
, 5H050CA21
, 5H050GA15
, 5H050HA02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
蓄電デバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-104629
Applicant:日本電気株式会社
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