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J-GLOBAL ID：200903005712250345

レベルシフタ回路

Inventor： 山本 裕雄 ,  大谷 一弘
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993332593
Publication number (International publication number)：1995193488
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 信号処理を高速化する。【構成】 インバータ1,2と、高電源電圧源4に接続したPチャンネルMOSトランジスタ7,8と、接地したNチャンネルMOSトランジスタ5,6と、インバータ3とを備えたレベルシフタ回路において、NチャンネルMOSトランジスタ13,14を設け、このNチャンネルMOSトランジスタ13,14のドレインに高電源電圧源4を接続し、また、NチャンネルMOSトランジスタ13のゲートにインバータ2の出力、NチャンネルMOSトランジスタ14のゲートにインバータ1の出力をそれぞれ接続し、また、NチャンネルMOSトランジスタ13のソースにPチャンネルMOSトランジスタ7のゲートを接続し、NチャンネルMOSトランジスタ14のソースにPチャンネルMOSトランジスタ8のゲートとインバータ3の入力とを接続した。

Claim (excerpt)：

高電源電圧をソースに接続した二つのPチャンネルMOSトランジスタを含み、低電源電圧動作回路の出力信号を第一のNチャンネルMOSトランジスタのゲートに接続し、前記第一のNチャンネルMOSトランジスタのドレインを第一のPチャンネルMOSトランジスタのゲートと第二のPチャンネルMOSトランジスタのドレインに接続し、また低電源電圧動作回路の出力信号の逆位相の信号を第二のNチャンネルMOSトランジスタのゲートに接続し、前記第二のNチャンネルMOSトランジスタのドレインを第一のPチャンネルMOSトランジスタのゲートと第二のPチャンネルMOSトランジスタのドレインに接続した構成に加え、第三、第四のNチャンネルMOSトランジスタのドレインを高電源電圧源に接続し、前記第三のNチャンネルMOSトランジスタのゲートを第一のNチャンネルMOSトランジスタのゲートと接続し、第三のNチャンネルMOSトランジスタのソースを第一のPチャンネルMOSトランジスタのドレインと第二のPチャンネルMOSトランジスタのゲートに接続し、第四のNチャンネルMOSトランジスタのゲートを第二のNチャンネルMOSトランジスタのゲートに接続し、第四のNチャンネルMOSトランジスタのソースを第一のPチャンネルMOSトランジスタのゲートと第二のPチャンネルMOSトランジスタのドレインと高電源電圧動作インバータの入力に接続し、高電源電圧動作インバータの出力を高電源電圧動作回路への出力としたレベルシフタ回路。

IPC (2)：

H03K 19/0185 ,  H03K 19/017