Pat

J-GLOBAL ID：200903005735460665

II-VI族化合物半導体素子の製法

Inventor： 小沢 正文 ,  中山 典一 ,  小林 俊雅 ,  宮嶋 孝夫 ,  成井 二三代
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993097837
Publication number (International publication number)：1994310811
Application date： Apr. 23, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 確実に、安定して目的とするII-VI族化合物半導体素子を製造できるようにする。【構成】 II-VI族化合物半導体素子の製造工程における加熱を伴う処理を400°C以下に選定して目的とするII-VI族化合物半導体素子を作製する。

Claim (excerpt)：

II-VI族化合物半導体素子の製造工程における加熱を伴う処理を400°C以下に選定したことを特徴とするII-VI族化合物半導体素子の製法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00