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J-GLOBAL ID：200903005739411995

フツ素含有共重合体の製造法

Inventor： 湯佐 正己 ,  宮寺 康夫
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 若林 邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991251523
Publication number (International publication number)：1993086139
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： Apr. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】 耐熱性、吸水率、誘電特性に優れたフッ素含有共重合体の製造法を提供する。【構成】 下記化1〔一般式(I)〕で表わされるフッ素含有ジオキソール誘導体と下記化2〔一般式(II) 〕で示されるエチレン性不飽和結合を含むイミド化合物を反応させることを特徴とするフッ素含有共重合体の製造法。【化1】(ただし、式中、R1,R2 は同一もしくは相異なり、少なくとも1個のフッ素原子を含む置換基を示す)【化2】(ただし、式中、Rはn価の有機基を示し、Xはエチレン性不飽和結合を含む2価の有機基であり、nは整数を示す)

Claim (excerpt)：

化1〔一般式(I)〕【化1】〔ただし、一般式(I)中、R1及びR2は各々独立に少なくとも1個のフッ素原子を有するパーハロ置換炭化水素基である〕で表わされるフッ素含有ジオキソール及び化2〔一般式(II)〕【化2】〔ただし、一般式(II)中、Rはn価の有機基を示し、Xはエチレン性不飽和結合を含む2価の有機基を示し、nは整数を示す〕で表わされるエチレン性不飽和結合を含む化合物を反応させることを特徴とするフッ素含有共重合体の製造法。

IPC (2)：

C08F234/02 MNW ,  C08F222/40 MNE