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J-GLOBAL ID：200903005759995470

適合層メタライゼーション

Inventor： ガスタブ エドワード ダーキッツ,ジュニヤ ,  ジョーゼ アルメイダ ローレンコ ,  ラメシュ アール.ヴァーマ
Applicant, Patent owner： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
Agent (1)： 岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995303210
Publication number (International publication number)：1996213713
Application date： Nov. 22, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【課題】本発明は適合層メタライゼーションを提供する。【解決手段】半導体及び半導体サブマウント間に生じる熱的及び機械的応力を軽減するための、適合層メタライゼーションである。適合層メタライゼーションは適合層、湿潤層及び障壁層を含む。適合層は熱的及び機械的応力を軽減する。湿潤層ははんだづけ中、適切に湿潤させる。障壁層ははんだボンディング中、ボンディング材料が適合層又は半導体に拡散するのを、防止する。

Claim (excerpt)：

半導体サブマウントへの半導体のはんだボンディング中、前記半導体を適切に湿潤し、はんだ材料が前記半導体中へ拡散するのを防止する目的で、前記半導体上に熱的及び機械的に導入される応力を最小にするための手段を含む半導体及び半導体サブマウント間に配置された適合層メタライゼーション。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/52