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J-GLOBAL ID：200903005768742410

光半導体装置およびその製造方法

Inventor： 足立 秀人 ,  松田 賢一 ,  柴田 淳
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992062850
Publication number (International publication number)：1993267790
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】 コヒーレント光を出力することのできる光双安定素子を実現する。【構成】 InP基板上に積層されたInP系材料からなるフォトトランジスタ上に、原子再配置層を介して、活性層にInGaAsを用い共振器ミラーにGaAs/AlAs半導体多層膜を用いた垂直共振器型面発光レーザを配置する。

Claim (excerpt)：

エミッタ層にInAlAs層、ベース層およびコレクタ層にInGaAsを用いたInP基板上のコレクタアップ型フォトトランジスタ上に、活性層にIn0.2Ga0.8As歪超格子層を用い、共振器ミラーにGaAs/AlAs半導体多層膜を用いた垂直共振器型面発光レーザが、数原子層からなる原子再配置層を介して積層された構成により、前記面発光レーザからの出力光が、前記面発光レーザと前記フォトトランジスタとの間で吸収の少ないことを特徴とする光半導体装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 31/12