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J-GLOBAL ID：200903005769880671

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Inventor： 柳 義弘 ,  中山 一郎 ,  奥村 智洋
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995003366
Publication number (International publication number)：1996195379
Application date： Jan. 12, 1995
Publication date： Jul. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 被加工物に対して最適なプラズマ分布に基づくプラズマ処理方法及び、比較的高真空度において高密度プラズマを発生することが可能で、かつプラズマ密度の分布に優れたプラズマ処理装置を提供する。【構成】 真空容器18内に基板24を載置した第1の電極23を設け、前記第1の電極23と対向する位置に電磁誘導コイル22及び第2の電極25を設けるとともに、これら電磁誘導コイル22及び第2の電極25に高周波電圧を印加する第1の高周波電源26を設けた。

Claim (excerpt)：

真空容器内に、誘導結合性と容量結合性が混在したプラズマを発生させ、この発生させたプラズマにより基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (2)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 C