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J-GLOBAL ID：200903005770133294

化学気相成長法による膜堆積装置および膜堆積方法

Inventor： 富永 浩二
Applicant, Patent owner： 株式会社堀場製作所
Agent (1)： 藤本 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001206513
Publication number (International publication number)：2003023005
Application date： Jul. 06, 2001
Publication date： Jan. 24, 2003
Summary：

【要約】【課題】 Si基板上に金属酸化薄膜からなる誘電率の高い材料(High-k)をSi基板との界面を酸化することなく小型で、かつ、コスト安に得ることができる化学気相成長法による薄膜堆積装置および堆積方法を提供すること。【解決手段】 Si基板20上に金属酸化膜10からなる誘電率の高い材料を成膜するための化学気相成長法による膜堆積方法であって、反応室2に前記金属酸化膜10の原料ガスGと還元性ガスH2 を導入してSi基板20上に金属層9を堆積し、続いて、前記還元性ガスH2 を酸化ガスO2 に切替えて前記反応室2に前記酸化ガスO2 を導入し、前記金属酸化膜10を堆積する。

Claim (excerpt)：

Si基板上に金属酸化膜からなる誘電率の高い材料を成膜する化学気相成長法による膜堆積装置であって、前記金属酸化膜の原料ガスの導入路に連通している反応室に、還元性ガスの導入路と酸化ガスの導入路とを切替え可能に接続してあることを特徴とする化学気相成長法による膜堆積装置。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/40 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/40 ,  H01L 29/78 301 G

F-Term (28)：

4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA43 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030KA11 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045DC63 ,  5F140AA39 ,  5F140AA40 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BE10 ,  5F140CE10 ,  5F140CE16