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J-GLOBAL ID：200903005806504880

書換回数制限型メモリのデータ管理方式

Inventor： 松井 範幸 ,  伊藤 裕之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991314467
Publication number (International publication number)：1993151097
Application date： Nov. 28, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、書換え回数に制限のある記憶装置において、そのデータの書換え処理を工夫することでその長寿命化を図ることを目的とする。【構成】 例えば、FLASHメモリでは消去回数が104 回を越えると不良ビットが発生するようになり、105 回を越えると急に不良ビットが増加する。そこで、これを回避するための方法として、同一箇所へのアクセス集中が起こらないよう、使用記憶領域のローテーションを行う。

Claim (excerpt)：

書換え回数に制限のある書換回数制限型メモリにおいて、複数の記憶領域(M)とを備えるとともに、各記憶領域(M)の書換え回数を管理する管理部(1)と、管理部(1)で管理される各記憶領域(M)の書換え回数に基づいてデータ書込の対象とすべき記憶領域(M)を選択する制御部(2)とを備え、前記制御部(2)は、管理部(1)で管理される各記憶領域(M)の書換え回数を比較して、最小書換数記憶領域(SM)を選択し、以後その最小書換数記憶領域(SM)を書換え対象の記憶領域とすることを特徴とする書換回数制限型メモリのデータ管理方式。

IPC (2)：

G06F 12/16 310 ,  G11C 16/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-283496
  
• 特開平1-125616
  
• 特開昭62-283496
  
• 特開平1-125616