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J-GLOBAL ID：200903005808009908
真空成膜装置における基板の冷却方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
後藤 洋介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998074090
Publication number (International publication number)：1999269635
Application date： Mar. 23, 1998
Publication date： Oct. 05, 1999
Summary：
【要約】【課題】 基板を保持しているホルダに対する直接的な冷却手段を必要としない真空成膜装置における基板の冷却方法を提供すること。【解決手段】 真空成膜装置において、導入口10aから真空容器10にガスを導入する導入手段と、排気口10bから真空容器内を排気する排気手段とを備え、前記導入口と前記排気口とにより単位時間当たりの前記真空容器内の雰囲気の入れ換えを大量に行うことにより基板100の冷却を行う。
Claim (excerpt)：
真空容器と、前記真空容器に取り付けられたプラズマ源と、前記真空容器内の底部に配置されたハースとを有し、前記プラズマ源が発生するプラズマビームを前記ハースに導き、該ハース内に収納された蒸着材料を蒸発させて被処理物体表面に膜を形成する真空成膜装置において、前記真空容器にガスを導入する導入手段と、前記真空容器内を排気する排気手段とを備え、前記導入手段と前記排気手段とにより単位時間当たりの前記真空容器内の雰囲気の入れ換えを大量に行うことにより前記被処理物体の冷却を行うことを特徴とする真空成膜装置における基板の冷却方法。
IPC (2)：
FI (2)：
C23C 14/32 D
, C23C 14/24 K
