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J-GLOBAL ID：200903005811673070

マイクロエレクトロニクス構造とその製法

Inventor： ブルース イー.グネード ,  スコット アール.サマーフェルト
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994007170
Publication number (International publication number)：1995007137
Application date： Jan. 26, 1994
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 誘電率の高い材料に対し信頼性の高い電気接続部を構成する。【構成】 この発明の好ましい実施例は酸化可能な層(例えばタンタル48)、酸化可能な層に重なる酸素ゲッタ層(例えば白金/タンタル混合物34)、酸素ゲッタ層に重なる貴金属層(例えば白金36)、及び貴金属層に重なる誘電率の高い材料の層(例えばチタン酸バリウム・ストロンチウム38)で構成される。酸素ゲッタ層が酸素の拡散を制御し、下側電極内又は下側電極/基板の界面の何れかに抵抗層が形成されることを最小限に抑える。酸素ゲッタ層が酸素に対するゲッタ作用をする場所として作用し、酸素がその層の反応性金属部分を酸化し、その層の貴金属部分を無傷に残す。形成される酸化物/下級酸化物(例えば5酸化タンタル40)は抵抗性であるが、それらは貴金属マトリクス内に分散し、層の上から下まで導電通路を残す。

Claim (excerpt)：

マイクロエレクトロニクス構造を形成する方法に於て、酸化可能な層を形成し、該酸化可能な層の上に酸素ゲッタ層を形成し、該酸素ゲッタ層の上に貴金属層を形成し、該貴金属層の上に誘電率の高い材料の層を形成する工程を含み、こうして酸素ゲッタ層が拡散する酸素に対してゲッタ作用をして、前記酸化可能な層内又はその上の何れかに於ける酸化抵抗層の形成を最小限に抑える方法。

IPC (4)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-204967
  
• 特開平4-045536
  
• 特開平2-060157